主要用在氟化物生产中的晶体生长设备。特点是，没有上传动，上部为钟罩结构，通过坩埚下降来实现晶体生长过程中的温度梯度变化。设备机械性能序号参数值1真空度0.1Pa2可充气体氮气或氩气3温度2200℃（0...

主要用于生长锗晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢或钼金属绳提升单晶。主炉室和副室之间通过插板阀实现动态隔离。序号 参数 值 1 真空度 0.1Pa 2 可充气体 氮气或氩气 3 温度 1600℃（0....

主要用于生长锗晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢或钼金属绳提升单晶。主炉室和副室之间通过插板阀实现动态隔离。序号参数值1真空度0.1Pa2可充气体氮气或氩气3温度1600℃（0.1℃）4籽晶拉速范围 ...

主要用于生长铌酸锂、碳酸锂等晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢镀铬硬轴，加热方式采用直流电阻或交流感应方式。生长过程通过称重方式实现晶体等径生长。序号参数值1真空度0.1Pa2可充气体氮气或氩气3温度1600℃（±0.1℃）4籽晶拉速范围 0.1～10mm/hr5晶体升降快速范围200 mm/min6籽晶转速...

主要用于生长锑化物或其他晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢镀铬硬轴，加热方式采用直流电阻加热方式。序号参数值1真空度0.1Pa2正压0.2MPa3可充气体氮气或氩气4温度1600℃（±0.1℃）5籽晶拉速范围 0.1～10mm/hr6晶体升降快速范围200 mm/min7籽晶转速范围 0～20r/min8坩埚...

主要用于生长锑化物或其他晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢镀铬硬轴，加热方式采用直流电阻加热方式。序号参数值1真空度0.1Pa2正压0.2MPa3可充气体氮气或氩气4温度1600℃（±0.1℃）5籽晶拉速范围 0.1～10mm/hr6晶体升降快速范围200 mm/min7籽晶转速范围 0～20r/min8坩埚...

主要用于生长需要高温、高压环境的化合物晶体。设备的特点是，安全可靠，功能**，加热方式采用多段加热方式实现温度梯度。序号参数值1真空度0.1Pa2正压10MPa3可充气体氮气或氩气4温度1600℃（±0.1℃）