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主要用于生长需要高温、高压环境的化合物晶体。设备的特点是，安全可靠，功能先进，加热方式采用多段加热方式实现温度梯度。
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序号 |
参数 |
值 |
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1 |
真空度 |
0.1Pa |
|
2 |
正压 |
10MPa |
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3 |
可充气体 |
氮气或氩气 |
|
4 |
温度 |
1600℃（±0.1℃） |
